电阻低。抗电迁移特性好。对硅氧化物有很好的黏合性。有很高的纯度。易于光刻。
铜的电阻率比铝小。铝的熔点较高。铝的抗电迁移能力较弱。铜与硅的接触电阻较小。铜可以在低温下淀积。
问题：
[多选] 在半导体制造中，熔断丝可以应用在（）。
MOS栅极。保护性元件。电容器极板。制造只读存储器PROM。晶圆背面电镀。
问题：
[单选] 刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。
二氧化硅。氮化硅。光刻胶。去离子水。
问题：
[单选] 由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
刻蚀速率。选择性。各向同性。各向异性。
问题：
[单选] 电离气体与普通气体的不同之处在于：后者是由电中性的分子或原子组成的，前者则是（）和中性粒子组成的集合体。
离子。原子团。电子。带电粒子。
问题：
[单选] （）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。
刻蚀速率。刻蚀深度。移除速率。刻蚀时间。
问题：
[多选] 通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。
光刻胶。衬底。表面硅层。扩散区。源漏区。
问题：
[单选] 刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。
选择性。均匀性。轮廓。刻蚀图案。
