当前位置:集成电路制造工艺员题库>集成电路制造工艺员(三级)题库

问题:

[单选] Torr是指()的单位。

真空度。磁场强度。体积。温度。

问题:

[单选] 离子源产生的离子在()的加速电场作用下得到加速。

分析器。扫描器。加速器。偏转器。

问题:

[单选] ()的气体源中一般包含H+,C+,B+,Cl+,O+等离子。

Cl2。BCl3。CO2。H2

问题:

[单选] 早期,研究离子注入技术是用()来进行的。

重离子加速器。热扩散炉。质子分析仪。轻离子分析器。

问题:

[单选] 离子注入装置的主要部件有()、分析器、加速聚焦系统等。

中子源。离子源。电子源。质子源。

问题:

[多选] 离子注入的主要气体源中,剧毒的有()。

砷化氢。二硼化氢。四氟化硅。三氟化磷。五氟化磷。

问题:

[单选] 在各种离子源常用的放电方式中,EOS是指有()。

电子振荡放电。离子自动放电。低电压弧光放电。双等离子电弧放电。

问题:

[单选] 离子源的作用是使所需要的杂质原子电离成()离子,并通过一个引出系统形成离子束。

正。负。中性。以上答案都可以。

问题:

[单选] 引出系统要求能引出分散性较好的强束流,还希望具有较()的气阻。

无序。稳定。小。大。

问题:

[单选] 离子束的引出系统的间接引出系统中,阳极和插入电极之间形成一个离子密度较()的等离子体。

低。高。均匀。不均匀。