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当前位置:集成电路制造工艺员题库>
集成电路制造工艺员(三级)题库
问题:
[单选] 离子散射方向与入射方向的夹角,称为()。
渐近角。偏折角。散射角。入射角。
参考答案
问题:
[多选] 对于非晶靶,离子注入的射程分布取决于()。
入射离子的能量。入射离子的质量。入射离子的原子序数。靶原子的质量、原子序数、原子密度。注入离子的总剂量。
参考答案
问题:
[单选] 当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为()。
临界剂量。饱和剂量。无损伤剂量。零点剂量。
参考答案
问题:
[单选] 当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。饱和正是对应连续()的形成。
非晶层。单晶层。多晶层。超晶层。
参考答案
问题:
[多选] 下列哪些因素会影响临界注入量的大小:()。
注入离子的质量。靶的种类。注入温度。注入速度。注入剂量。
参考答案
问题:
[多选] 哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量:()。
低温注入。常温注入。高温注入。分子注入。双注入。
参考答案
问题:
[单选] 损伤的分布与注入离子在在靶内的()的分布密切相关。
能量淀积。动量淀积。能量振荡。动量振荡。
参考答案
问题:
[单选] 目前,最广泛使用的退火方式是()。
热退火。激光退火。电子束退火。离子束退火。
参考答案
问题:
[单选] ()就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面,使其中离子注入层在极短的时间内达到高温,消除损伤。
热退火。激光退火。连续激光退火。脉冲激光退火。
参考答案
问题:
[单选] 激光退火目前有()激光退火两种。
一般和特殊。脉冲和连续。高温和低温。快速和慢速。
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