问题：
[单选] 下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。
烘烤的目的是除去光刻胶中的水分。烘烤可以减轻曝光中的驻波效应。烘烤的温度一般在300℃左右。烘烤的时间越长越好。
问题：
[多选] 下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。
ARC可以是硅的氮化物。可用干法刻蚀除去。ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成。ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层。ARC膜也可以通过CVD的方法形成。
问题：
[单选] 下列哪些因素不会影响到显影效果的是（）。
显影液的温度。显影液的浓度。显影液的溶解度。显影液的化学成分。
问题：
[多选] 有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。
负胶受显影液的影响比较小。正胶受显影液的影响比较小。正胶的曝光区将会膨胀变形。使用负胶可以得到更高的分辨率。负胶的曝光区将会膨胀变形。
问题：
[多选] 晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。
除去光刻胶中剩余的溶剂。增强光刻胶对晶片表面的附着力。提高光刻胶的抗刻蚀能力。有利于以后的去胶工序。减少光刻胶的缺陷。
问题：
[多选] 光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。
红外线辐射。X射线照射。加热。紫外光辐射。电子束扫描。
丙酮。氢氧化钠溶液。丁酮。甲乙酮。热的氯化碳氢化合物。
问题：
[多选] 半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。
氧化。改变导电类型。涂层。改变材料性质。镀膜。
问题：
[多选] 离子注入的主要气体源中，易燃、易爆的有（）。
砷化氢。二硼化氢。三氟化硼。硅烷。氧气。
