当前位置:集成电路制造工艺员题库>集成电路制造工艺员(三级)题库

问题:

[多选] 下列有关ARC工艺的说法正确的是()。

A . ARC可以是硅的氮化物
B . 可用干法刻蚀除去
C . ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成
D . ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层
E . ARC膜也可以通过CVD的方法形成

测定挥发时,称量试样必须()。 A、连同坩埚盖一起称重。 B、可不连同坩埚盖一起称重。 C、两者无差别。 用手机买完福彩后怎么兑奖? 第二次技术革命完成的标志是() A、牛顿力学体系的建立、蒸汽机的发明。 B、爱因斯坦相对论和哥本哈根学派量子力学体系的建立。 C、激光技术、合成材料的兴起。 D、麦克斯韦电磁学理论的建立、电机的发明和电力技术的进步。 右脚由后取捷径上前一步,身体左转,左脚前掌随即碾转,脚尖外展,两拳同时交换,成左搏斗势,这是散打的()步法。 A、上步。 B、撤步。 C、滑步。 D、垫步。 手机导航语音服务功能的亲情号码可以设置几个? 下列有关ARC工艺的说法正确的是()。
参考答案:

  参考解析

本题暂无解析

在线 客服