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当前位置:集成电路制造工艺员题库>
集成电路制造工艺员(三级)题库
问题:
[单选] 离子源腔体中的气体放电形成()而引出正离子的。
等离子体。不等离子体。正离子体。液电流。
参考答案
问题:
[单选] 晶体中,每个原子在晶格中有一定的平衡位置,原子在此位置时其势能为()。
极大值。极小值。既不极大也不极小。小于动能。
参考答案
问题:
[单选] 降低靶的温度,有利于非晶层的形成,所以临界注入量随之()。
增大。减小。不变。变为0。
参考答案
问题:
[单选] 在实际工作中,常常需要知道离子注入层内损伤量按()的分布情况。
长度。深度。宽度。表面平整度。
参考答案
问题:
[单选] 一般用()测量注入的剂量。
剂量分布仪。剂量统计仪。电荷分析仪。电荷积分仪。
参考答案
问题:
[单选] 在靶片前方设一抑制栅,作用是将()抑制回去,从而保证测量的准确性。
二次电子。二次中子。二次质子。无序离子。
参考答案
问题:
[单选] 如果固体中的原子排列情况是紊乱的,就称之为()。
单晶靶。超晶靶。多晶靶。非晶靶。
参考答案
问题:
[多选] 电荷积分仪的基本单元包括()。
I-V转换。V-f转换。十进制计数电路。控制电路。红外探测器。
参考答案
问题:
[单选] 离子从进入靶起到停止点所通过的总路程称作()。
离子距离。靶厚。射程。注入深度。
参考答案
问题:
[单选] 射程在垂直入射方向的平面内的投影长度称之为()。
投影射程。射程纵向分量。射程横向分量。有效射程。
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