问题：
[单选] 离子束垂直进入均匀的正交磁场后，将同时受到电场力和（）的作用。
洛仑兹力。反向的电场力。库仑力。重力。
问题：
[单选] 静电偏转电极和静电扫描器都是（）电容器。
片状。针尖状。圆筒状。平行板。
问题：
[单选] 为了解决中性束对注入均匀性的影响，可在系统中设有（），使离子束偏转后再达到靶室。
磁分析器。正交电磁场分析器。静电偏转电极。束流分析仪。
问题：
[单选] 离子源的基本结构是由产生高密度等离子体的（）和引出部分组成。
电极。分析器。加速器。腔体。
问题：
[单选] 为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染，可在靶室前增加一个（）或采用无油泵。
液氮冷阱。净化阱。抽气阱。无气泵。
问题：
[多选] 在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。
均匀性。表面平整度。自由应力。纯净度。电容。
问题：
[多选] 在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。
使薄膜的介电常数变大。可能引入杂质。可能使薄膜层间短路。使薄膜介电常数变小。可能使薄膜厚度增加。
问题：
[多选] 在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。
晶圆顶层的保护层。多层金属的介质层。多晶硅与金属之间的绝缘层。掺杂阻挡层。晶圆片上器件之间的隔离。
