问题：
[单选] 大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。
薄膜厚度。图形宽度。图形长度。图形间隔。
问题：
[单选] 不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。
A.CHF3。B.C2F6。C.C3F8。D.HF。
问题：
[单选] 溅镀法，因为其阶梯覆盖的能力不良，很容易造成因填缝不完全所留下的（）。
鸟嘴。空洞。裂痕。位错。
问题：
[单选] 铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。
等离子体刻蚀。反应离子刻蚀。湿法刻蚀。溅射刻蚀。
问题：
[单选] 为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。
多晶硅。单晶硅。铝硅铜合金。铜。
问题：
[多选] 下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。
CF4。BCl3。Cl2。F2。CHF3。
问题：
[单选] 在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。
铜。铝。金。二氧化硅。
问题：
[单选] 在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。
气体。等离子体。固体。液体。
问题：
[单选] 在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。
单晶硅刻蚀。多晶硅刻蚀。二氧化硅刻蚀。氮化硅刻蚀。
问题：
[单选] 在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体
栅氧化层。沟槽。势垒。场氧化层。
