问题：
[单选] 单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。
氮化硅。二氧化硅。光刻胶。多晶硅。
问题：
[单选] 请在下列选项中选出硅化金属的英文简称：（）。
A.Oxide。B.Nitride。C.Silicide。D.Polycide。
问题：
[单选] 请在下列选项中选出多晶硅化金属的英文简称：（）。
A.Oxide。B.Nitride。C.Silicide。D.Polycide。
问题：
[单选] 多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。
二氧化硅。氮化硅。单晶硅。多晶硅。
问题：
[单选] 晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
n型掺杂区。P型掺杂区。栅氧化层。场氧化层。
问题：
[多选] 以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。
单晶硅。多晶硅。硅化金属。二氧化硅。氮化硅。
问题：
[多选] 下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。
二氧化硅氮化硅。多晶硅硅化金属。单晶硅多晶硅。铝铜。铝硅。
问题：
[单选] 下面那一种薄膜工艺中底材会被消耗（）。
薄膜沉积。薄膜成长。蒸发。溅射。
问题：
[多选] （）专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。
薄膜成长。蒸发。薄膜沉积。溅射。以上都正确。
问题：
[单选] 化学气相沉积的英文名称的缩写为（）。
LVD。PED。CVD。PVD。
