问题：
[单选] （）主要是以化学反应方式来进行薄膜沉积的。
PVD。CVD。溅射。蒸发。
问题：
[单选] （）是因为吸附原子在晶片表面上彼此碰撞并结合所形成的。
晶核。晶粒。核心。核团。
问题：
[单选] 决定吸附原子彼此间能否形成一个稳定的核团，以便于进行凝结的主要因素主宰于所形成的核团是否（）而定。
动能最低。稳定。运动。静止。
问题：
[单选] 硅晶片上之所以可以产生薄膜，出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子，它们主要是通过（）到达晶片表面的。
粒子的扩散。化学反应。从气体源通过强迫性的对流传送。被表面吸附。
问题：
[单选] 薄膜沉积的机构，依发生的顺序，可以分为这几个步骤。其中不包括（）。
形成晶核。晶粒自旋。晶粒凝结。缝道填补。
问题：
[多选] 晶片表面上的粒子是通过（）到达晶片的表面。
粒子扩散。从气体源通过强迫性的对流传送。化学反应。被表面吸附。静电吸引。
问题：
[多选] 薄膜沉积的机构包括那些步骤（）。
形成晶核。晶粒成长。晶粒凝结。缝道填补。沉积膜成长。
问题：
[单选] （）是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。
LPCVD。PECVD。CVD。PVD。
问题：
[单选] （）是通过把被蒸物体加热，利用被蒸物在高温时的饱和蒸汽压来进行薄膜沉积的。
蒸镀。溅射。离子注入。CVD。
