当前位置:集成电路制造工艺员题库>集成电路制造工艺员(三级)题库

问题:

[单选] 硅晶片上之所以可以产生薄膜,出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子,它们主要是通过()到达晶片表面的。

A . 粒子的扩散
B . 化学反应
C . 从气体源通过强迫性的对流传送
D . 被表面吸附

可能造成变换催化剂进水的是()。 A、提高系统压力。 B、开大中间换热器旁路阀。 C、饱和塔液位指示不准。 D、降低空速。 (),是指技术追赶者由于缺乏技术能力和创新能力,技术进步缓慢,随着产业技术前沿的拓展和技术跳跃,而不断从产业技术前沿持续后退的现象。 技术追赶陷阱。 技术超越陷阱。 投资型追赶陷阱。 能力型追赶陷阱。 什么是生产剥采比? 下列项目不会造成变换催化剂进水的是()。 A、饱和塔液位超高。 B、提高汽气比。 C、饱和塔出口分离器故障。 D、停车时塔未及时排水。 保险公司不得向投保人或其经办人员及其他人员支付或承诺支付保险合同约定之外的()。 利益。 好处。 现金。 回扣。 硅晶片上之所以可以产生薄膜,出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子,它们主要是通过()到达晶片表面的。
参考答案:

  参考解析

本题暂无解析

在线 客服